SI3499DV-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI3499DV-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI3499DV-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеVishay Intertechnology SI3499DV-T1-GE3 Channel Type: P-Channel Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 8 V Drain-Source On Resistance-Max: 0.023 ?© Qg Gate Charge: 28 nC Rated Power Dissipation: 1.1 W
-
Количество страниц10 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
02.06.2024
01.06.2024
31.05.2024